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文献
J-GLOBAL ID：200902257374266309
整理番号：04A0906970
良好なデバイス特性を持つ低電圧チタン酸鉛/Siの1トランジスタ強誘電体メモリ
Low voltage lead titanate/Si one-transistor ferroelectric memory with good device characteristics
SUN C L
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHEN S Y
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LIAO C C
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHIN A
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 85 号： 20 ページ： 4726-4728 発行年： 2004年11月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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