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文献
J-GLOBAL ID：200902257424249630
整理番号：04A0085645
不変極性条件下のBeドープp型GaNの成長
Growth of Be-doped p-type GaN under Invariant Polarity Conditions
SUGITA S
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
WATARI Y
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
YOSHIZAWA G
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
SODESAWA J
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
YAMAMIZU H
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
LIU K-T
(National Chen Kung Univ., TWN)
,
SU Y-K
(National Chen Kung Univ., TWN)
,
HORIKOSHI Y
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42 号： 12 ページ： 7194-7197 発行年： 2003年12月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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