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文献
J-GLOBAL ID：200902257702641937
整理番号：07A0771018
最適化フィールドプレート構造を有する高電圧GaN-HEMTにおけるダイナミックオン抵抗増加の抑制とゲート電荷測定
Suppression of Dynamic On-Resistance Increase and Gate Charge Measurements in High-Voltage GaN-HEMTs With Optimized Field-Plate Structure
SAITO Wataru
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
NITTA Tomohiro
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
KAKIUCHI Yorito
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
SAITO Yasunobu
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
TSUDA Kunio
(Toshiba Res. and Dev. Center, Kawasaki, JPN)
,
OMURA Ichiro
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
YAMAGUCHI Masakazu
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 54 号： 8 ページ： 1825-1830 発行年： 2007年08月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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