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文献
J-GLOBAL ID：200902258006467392
整理番号：08A0781505
トップΩ形状AuコンタクトをもつバックゲートZnOナノワイアー電界効果トランジスタ
Back-gate ZnO nanowire field-effect transistors each with a top Ω shaped Au contact
YANG W. Q.
(State Key Lab for Mesoscopic Physics and Dep. of Physics, Peking Univ., Beijing 100871, People’s Republic of China)
,
DAI L.
(State Key Lab for Mesoscopic Physics and Dep. of Physics, Peking Univ., Beijing 100871, People’s Republic of China)
,
MA R. M.
(State Key Lab for Mesoscopic Physics and Dep. of Physics, Peking Univ., Beijing 100871, People’s Republic of China)
,
LIU C.
(State Key Lab for Mesoscopic Physics and Dep. of Physics, Peking Univ., Beijing 100871, People’s Republic of China)
,
SUN T.
(State Key Lab for Mesoscopic Physics and Dep. of Physics, Peking Univ., Beijing 100871, People’s Republic of China)
,
QIN G. G.
(State Key Lab for Mesoscopic Physics and Dep. of Physics, Peking Univ., Beijing 100871, People’s Republic of China)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 93 号： 3 ページ： 033102 発行年： 2008年07月21日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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