文献
J-GLOBAL ID:200902258136826700
整理番号:04A0589483
W-CDMA基地局用の高利得15.5dBを持つ28V,250W,GaAs電力FET
A 28V 250W GaAs Power FET with High Gain of 15.5dB for W-CDMA Base Stations
著者 (5件):
NAGAHARA M
(FUJITSU QUANTUM DEVICE LTD., Yamanashi, JPN)
,
INOUE K
(FUJITSU QUANTUM DEVICE LTD., Yamanashi, JPN)
,
SANO S
(FUJITSU QUANTUM DEVICE LTD., Yamanashi, JPN)
,
TAKAHASHI H
(FUJITSU QUANTUM DEVICE LTD., Yamanashi, JPN)
,
TAKASE S
(FUJITSU QUANTUM DEVICE LTD., Yamanashi, JPN)
資料名:
IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
(IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest)
巻:
2004
号:
Vol.3
ページ:
1359-1362
発行年:
2004年
JST資料番号:
A0636A
ISSN:
0149-645X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)