文献
J-GLOBAL ID:200902258226284191
整理番号:07A0892082
マルチシードを使用したCzochralski法により成長させたSi多結晶
Si multicrystals grown by the Czochralski method with multi-seeds
著者 (7件):
HOSHIKAWA Takeshi
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN)
,
TAISHI Toshinori
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN)
,
HUANG Xinming
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN)
,
UDA Satoshi
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN)
,
YAMATANI Muneyoshi
(Kyocera Corp., Nagatanino, Hebimizo, Higashioumi, JPN)
,
SHIRASAWA Katsuhiko
(Kyocera Corp., Nagatanino, Hebimizo, Higashioumi, JPN)
,
HOSHIKAWA Keigo
(Fac. of Education, Shinshu Univ., Nagano 380-8544, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
307
号:
2
ページ:
466-471
発行年:
2007年09月15日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)