文献
J-GLOBAL ID:200902258340747703
整理番号:05A0001397
Si(111)上の高シート電荷キャリア密度AlInN/GaN電界効果トランジスタ
High-sheet-charge-carrier-density AlInN/GaN field-effect transistors on Si(111)
著者 (9件):
DADGAR A
(Otto-von-Guericke-Univ. Magdeburg, Magdeburg, DEU)
,
SCHULZE F
(Otto-von-Guericke-Univ. Magdeburg, Magdeburg, DEU)
,
BLAESING J
(Otto-von-Guericke-Univ. Magdeburg, Magdeburg, DEU)
,
DIEZ A
(Otto-von-Guericke-Univ. Magdeburg, Magdeburg, DEU)
,
KROST A
(Otto-von-Guericke-Univ. Magdeburg, Magdeburg, DEU)
,
NEUBURGER M
(Univ. Ulm, Ulm, DEU)
,
KOHN E
(Univ. Ulm, Ulm, DEU)
,
DAUMILLER I
(MicroGaN GmbH, Ulm, DEU)
,
KUNZE M
(MicroGaN GmbH, Ulm, DEU)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
85
号:
22
ページ:
5400-5402
発行年:
2004年11月29日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)