文献
J-GLOBAL ID:200902258373313024
整理番号:04A0224264
フィールドプレート最適化による30W/mm GaN HEMT
30-W/mm GaN HEMTs by Field Plate Optimization
著者 (9件):
WU Y-F
(Cree Santa Barbara Technol. Center, CA, USA)
,
SAXLER A
(Cree, Inc., NC, USA)
,
MOORE M
(Cree Santa Barbara Technol. Center, CA, USA)
,
SMITH R P
(Cree, Inc., NC, USA)
,
SHEPPARD S
(Cree, Inc., NC, USA)
,
CHAVARKAR P M
(Cree Santa Barbara Technol. Center, CA, USA)
,
WISLEDER T
(Cree Santa Barbara Technol. Center, CA, USA)
,
MISHRA U K
(Cree Santa Barbara Technol. Center, CA, USA)
,
PARIKH P
(Cree Santa Barbara Technol. Center, CA, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
25
号:
3
ページ:
117-119
発行年:
2004年03月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)