文献
J-GLOBAL ID:200902258647023931
整理番号:07A0739425
IGBTのSi限界特性の理論研究
Theoretical Investigation of Silicon Limit Characteristics of IGBT
著者 (1件):
NAKAGAWA Akio
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻:
18th
ページ:
5-8
発行年:
2006年
JST資料番号:
W1300A
ISSN:
1943-653X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)