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文献
J-GLOBAL ID:200902258766072843   整理番号:08A0383495

プラズマエッチング過程における放射,ラジカル,イオンによる低k多孔性SiOCH膜のプラズマ損傷機構

Plasma damage mechanisms for low-k porous SiOCH films due to radiation, radicals, and ions in the plasma etching process
著者 (7件):
UCHIDA Saburo
(Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku ...)
TAKASHIMA Seigo
(Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku ...)
HORI Masaru
(Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku ...)
FUKASAWA Masanaga
(Process Technol. Dep., Semiconductor Technol. Dev. Div., Semiconductor Business Group, Sony Corp., 4-14-1 Asahi-cho ...)
OHSHIMA Keiji
(Process Technol. Dep., Semiconductor Technol. Dev. Div., Semiconductor Business Group, Sony Corp., 4-14-1 Asahi-cho ...)
NAGAHATA Kazunori
(Process Technol. Dep., Semiconductor Technol. Dev. Div., Semiconductor Business Group, Sony Corp., 4-14-1 Asahi-cho ...)
TATSUMI Tetsuya
(Process Technol. Dep., Semiconductor Technol. Dev. Div., Semiconductor Business Group, Sony Corp., 4-14-1 Asahi-cho ...)

資料名:
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

巻: 103  号:ページ: 073303  発行年: 2008年04月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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