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文献
J-GLOBAL ID：200902258769150179
整理番号：06A0854480
高抵抗p型シリコンへのリチウム拡散プロフィル
Lithium diffusion profile onto highly resistive p-type silicon
KEFFOUS A.
(Silicon Technol. Unit (UDTS) 02, Bd Frantz Fanon, BP 399 Alger-Gare, Algiers, DZA)
,
HADJERSI T.
(Silicon Technol. Unit (UDTS) 02, Bd Frantz Fanon, BP 399 Alger-Gare, Algiers, DZA)
,
CHERIET A.
(Silicon Technol. Unit (UDTS) 02, Bd Frantz Fanon, BP 399 Alger-Gare, Algiers, DZA)
,
BOURENANE K.
(Silicon Technol. Unit (UDTS) 02, Bd Frantz Fanon, BP 399 Alger-Gare, Algiers, DZA)
,
GABOUZE N.
(Silicon Technol. Unit (UDTS) 02, Bd Frantz Fanon, BP 399 Alger-Gare, Algiers, DZA)
,
BOUKENNOUS Y.
(Silicon Technol. Unit (UDTS) 02, Bd Frantz Fanon, BP 399 Alger-Gare, Algiers, DZA)
,
KEZZOULA F.
(Silicon Technol. Unit (UDTS) 02, Bd Frantz Fanon, BP 399 Alger-Gare, Algiers, DZA)
,
ZITOUNI M. Amini.
(Silicon Technol. Unit (UDTS) 02, Bd Frantz Fanon, BP 399 Alger-Gare, Algiers, DZA)
,
MENARI H.
(Silicon Technol. Unit (UDTS) 02, Bd Frantz Fanon, BP 399 Alger-Gare, Algiers, DZA)
資料名：
Vacuum
(Vacuum)
巻： 81 号： 4 ページ： 417-421 発行年： 2006年11月06日
JST資料番号： E0347A ISSN： 0042-207X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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