文献
J-GLOBAL ID:200902258992481748
整理番号:09A0458571
Ga2O3-In2O3-ZnO薄膜トランジスタの劣化の実験的理論的解析
Experimental and Theoretical Analysis of Degradation in Ga2O3-In2O3-ZnO Thin-Film Transistors
著者 (5件):
FUJII Mami
(Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN)
,
URAOKA Yukiharu
(Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN)
,
FUYUKI Takashi
(Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN)
,
JUNG Ji Sim
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyeonggi-do, KOR)
,
KWON Jang Yeon
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyeonggi-do, KOR)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
48
号:
4,Issue 2
ページ:
04C091.1-04C091.6
発行年:
2009年04月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)