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文献
J-GLOBAL ID：200902259304485197
整理番号：03A0082502
バルクGaN単結晶 フラックス法の成長条件
Bulk GaN single crystals: Growth conditions by flux method.
SONG Y
(Inst. Physics and Center for Condensed Matter Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
WANG W
(Inst. Physics and Center for Condensed Matter Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
YUAN W
(Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN)
,
WU X
(Inst. Physics and Center for Condensed Matter Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
CHEN X
(Inst. Physics and Center for Condensed Matter Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 247 号： 3/4 ページ： 275-278 発行年： 2003年01月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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