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文献
J-GLOBAL ID：200902259582175735
整理番号：07A0678514
急速溶融成長に基づくPチャネルゲルマニウムFinFET
P-Channel Germanium FinFET Based on Rapid Melt Growth
FENG Jia
(Stanford Univ., CA, USA)
,
WOO Raymond
(Stanford Univ., CA, USA)
,
CHEN Shulu
(Stanford Univ., CA, USA)
,
LIU Yaocheng
(Stanford Univ., CA, USA)
,
GRIFFIN Peter B.
(Stanford Univ., CA, USA)
,
PLUMMER James D.
(Stanford Univ., CA, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 28 号： 7 ページ： 637-639 発行年： 2007年07月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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