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文献
J-GLOBAL ID：200902259879093479
整理番号：04A0489871
HCl系Siエッチとそれに続くRPCVDにおけるBドープSi1-xGexの選択的エピタクシーによる浅い接合の作製
Formation of Shallow Junctions by HCl-Based Si Etch Followed by Selective Epitaxy of B-Doped Si1-xGex in RPCVD
ISHEDEN C
(Royal Inst. Technol., Kista, SWE)
,
RADAMSON H H
(Royal Inst. Technol., Kista, SWE)
,
SUVAR E
(Royal Inst. Technol., Kista, SWE)
,
HELLSTROEM P-E
(Royal Inst. Technol., Kista, SWE)
,
OESTLING M
(Royal Inst. Technol., Kista, SWE)
資料名：
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻： 151 号： 6 ページ： C365-C368 発行年： 2004年
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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