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文献
J-GLOBAL ID：200902260064858614
整理番号：04A0094247
HfO2ゲート誘電体とTaNゲート電極を持つエピタキシャル歪ゲルマニウムp-MOSFET
Epitaxial Strained Germanium p-MOSFETs with HfO2 Gate Dielectric and TaN Gate Electrode
RITENOUR A
(MIT, MA)
,
YU S
(Intel Corp., OR)
,
LEE M L
(MIT, MA)
,
LU N
(Univ. Texas at Austin, TX)
,
BAI W
(Univ. Texas at Austin, TX)
,
PITERA A
(MIT, MA)
,
FITZGERALD E A
(MIT, MA)
,
KWONG D L
(Univ. Texas at Austin, TX)
,
ANTONIADIS D A
(MIT, MA)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2003 ページ： 433-436 発行年： 2003年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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