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文献
J-GLOBAL ID：200902260104536542
整理番号：03A0814080
RFスパッタ法で作製した不均一AlドープZnO薄膜の結晶状態と電気特性との関係
Relationship between Crystal Structure and Electrical Properties of Nonuniform Al-Doped ZnO Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering
菅原智明
(北海道工技セ)
,
下野功
(北海道工技セ)
,
辻野二朗
(北海道電力)
,
本間工士
(北海道電力)
,
福田永
(室蘭工大)
資料名：
日本セラミックス協会学術論文誌
(Journal of the Ceramic Society of Japan)
巻： 111 号： 1299 ページ： 831-836 発行年： 2003年11月01日
JST資料番号： F0382A ISSN： 0914-5400 CODEN： JCSJEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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