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文献
J-GLOBAL ID：200902260272704620
整理番号：04A0667970
SiCショットキーバリアダイオードの高di/dtスイッチング特性
High di/dt Switching Characteristics of a SiC Schottky Barrier Diode
高尾和人
(産業技術総合研 パワーエレクトロニクス研究セ)
,
八尾勉
(産業技術総合研 パワーエレクトロニクス研究セ)
,
荒井和雄
(産業技術総合研 パワーエレクトロニクス研究セ)
資料名：
電気学会論文誌 D
(IEEJ Transactions on Industry Applications)
巻： 124 号： 9 ページ： 917-923 発行年： 2004年09月01日
JST資料番号： X0451A ISSN： 0913-6339 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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