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J-GLOBAL ID：200902260432375220 整理番号：04A0391783

アークプラズマガンを用いた新規材料GeC薄膜の分子線エピタキシー成長

MBE Growth of Novel GeC Thin Epilayers on Si(100) Substrates by Using a Vacuum Arc Plasma Gun as C Source

著者 (3件)：

布下正宏

(奈良先端科学技術大学院大)

太田淳

(奈良先端科学技術大学院大)

沖仲元毅

(理研)

資料名：

真空 (Journal of the Vacuum Society of Japan)

巻： 47 号： 4 ページ： 315-323 発行年： 2004年04月20日
JST資料番号： G0194A ISSN： 0559-8516 CODEN： SHINA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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