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文献
J-GLOBAL ID：200902260516121231
整理番号：05A0750752
電子サイクロトロン共鳴プラズマ流に曝露した後の超薄Al2O3ゲート誘電体のMOSダイオード特性
MOS-diode characteristics of ultrathin Al2O3 gate dielectrics after exposure to an electron-cyclotron-resonance plasma stream
JIN Yoshito
(NTT Microsystem Integration Lab., Kanagawa, JPN)
,
SAITO Kunio
(NTT Microsystem Integration Lab., Kanagawa, JPN)
,
SHIMADA Masaru
(NTT Microsystem Integration Lab., Kanagawa, JPN)
,
ONO Toshiro
(NTT Microsystem Integration Lab., Kanagawa, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 23 号： 4 ページ： 1480-1486 発行年： 2005年07月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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