文献
J-GLOBAL ID:200902260855256677
整理番号:08A0452407
複数ファブと技術の比較によるランダムしきい値電圧変動の理解
Understanding Random Threshold Voltage Fluctuation by Comparing Multiple Fabs and Technologies
著者 (9件):
TAKEUCHI K.
(MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN)
,
TAKEUCHI K.
(NEC, Kanagawa, JPN)
,
FUKAI T.
(MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN)
,
TSUNOMURA T.
(MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN)
,
PUTRA A.T.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
NISHIDA A.
(MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN)
,
KAMOHARA S.
(MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN)
,
HIRAMOTO T.
(MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN)
,
HIRAMOTO T.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
2007 Vol.1
ページ:
467-470
発行年:
2007年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)