文献
J-GLOBAL ID:200902260910439212
整理番号:04A0085654
極薄および極短シリコン-オン-絶縁体MOSFETの量子輸送シミュレーション
Quantum Transport Simulation of Ultrathin and Ultrashort Silicon-On-Insulator Meta1-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
著者 (4件):
TSUCHIYA H
(Kobe Univ., Kobe, JPN)
,
HORINO M
(Kobe Univ., Kobe, JPN)
,
OGAWA M
(Kobe Univ., Kobe, JPN)
,
MIYOSHI T
(Kobe Univ., Kobe, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
42
号:
12
ページ:
7238-7243
発行年:
2003年12月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)