文献
J-GLOBAL ID:200902260926925532
整理番号:04A0587096
非駆動プレートと選択駆動ビットラインスキームを有する高密度で低電力の不揮発性FeRAM
High Density and Low Power Nonvolatile FeRAM with Non-Driven Plate and Selected Driven Bit-line Scheme
著者 (9件):
HIRANO H
(Matsushita Electric Industrial Co, Ltd., Kyoto, JPN)
,
SAKAGAMI M
(Matsushita Electric Industrial Co, Ltd., Kyoto, JPN)
,
YAMAOKA K
(Matsushita Electric Industrial Co, Ltd., Kyoto, JPN)
,
NAKAKUMA T
(Matsushita Electric Industrial Co, Ltd., Kyoto, JPN)
,
IWANARI S
(Matsushita Electric Industrial Co, Ltd., Kyoto, JPN)
,
MURAKUKI Y
(Matsushita Electric Industrial Co, Ltd., Kyoto, JPN)
,
MIKI T
(Matsushita Electric Industrial Co, Ltd., Kyoto, JPN)
,
GOHOU Y
(Matsushita Electric Industrial Co, Ltd., Kyoto, JPN)
,
FUJII E
(Matsushita Electric Industrial Co, Ltd., Kyoto, JPN)
資料名:
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits)
巻:
2004
ページ:
446-447
発行年:
2004年
JST資料番号:
W0767A
ISSN:
2158-5601
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)