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文献
J-GLOBAL ID：200902260976762928
整理番号：03A0547794
MgOドープBa0.7Sr0.3TiO3絶縁層を用いた金属-強誘電体-金属-絶縁体-半導体構造における保持時間の改善
Improvement in retention time of metal-ferroelectric-metal- insulator-semiconductor structures using MgO doped Ba0.7Sr0.3TiO3 insulator layer
TSENG T Y
(National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LEE S Y
(National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 83 号： 5 ページ： 981-983 発行年： 2003年08月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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