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文献
J-GLOBAL ID：200902261300187692
整理番号：04A0151049
超薄ゲート誘電体を有する電界効果トランジスタにおけるキャリア移動度に及ぼす遠隔表面粗さ散乱の効果
Effects of remote-surface-roughness scattering on carrier mobility in field-effect-transistors with ultrathin gate dielectrics
SAITO S
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
TORII K
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
SHIMAMOTO Y
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
TSUJIKAWA S
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
HAMAMURA H
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
TONOMURA O
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
MINE T
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
HISAMOTO D
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
ONAI T
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 84 号： 8 ページ： 1395-1397 発行年： 2004年02月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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