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文献
J-GLOBAL ID：200902261739529859
整理番号：07A0410072
低温におけるホットワイヤー化学蒸着によって堆積させた無ドープ,N型およびP型水素化ナノ結晶炭化けい素の評価
Characterization of Undoped, N- and P-Type Hydrogenated Nanocrystalline Silicon Carbide Films Deposited by Hot-Wire Chemical Vapor Deposition at Low Temperatures
MIYAJIMA Shinsuke
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
YAMADA Akira
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
KONAGAI Makoto
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 46 号： 4A ページ： 1415-1426 発行年： 2007年04月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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