文献
J-GLOBAL ID:200902261820417593
整理番号:08A0142097
極端紫外リソグラフィーでの素子作製に対する32nmラインアンドスペースパターンに関するフレア変動補正
Flare-variation compensation for 32 nm line and space pattern for device manufacturing on extreme-ultraviolet lithography
著者 (3件):
AOYAMA H.
(Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc., 16-1 Onogawa, Tsukuba-shi, Ibaragi-ken 305-8569, JPN)
,
IRIKI N.
(Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc., 16-1 Onogawa, Tsukuba-shi, Ibaragi-ken 305-8569, JPN)
,
TANAKA T.
(Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc., 16-1 Onogawa, Tsukuba-shi, Ibaragi-ken 305-8569, JPN)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
26
号:
1
ページ:
80
発行年:
2008年01月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)