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文献
J-GLOBAL ID：200902261849593510
整理番号：05A0154224
薄いBOX上のシリコン:広範囲のバックバイアス制御を特徴とする低電力と高性能用途に対するCMOSFETの新パラダイム
Silicon on Thin BOX: A New Paradigm of The CMOSFET for Low-Power and High-Performance Application Featuring Wide-Range Back-Bias Control
TSUCHIYA R
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
HORIUCHI M
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
KIMURA S
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
YAMAOKA M
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
KAWAHARA T
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
MAEGAWA S
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
IPPOSHI T
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
OHJI Y
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
MATSUOKA H
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2004 ページ： 631-634 発行年： 2004年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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