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文献
J-GLOBAL ID：200902262024223899
整理番号：05A0494573
ゲート誘電体用のHfO2薄膜を作製するための新しいプロセス
Novel Fabrication Process for HfO2 Thin Film for Gate Dielectric
NAGASATO Yoshitaka
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
UENO Tomo
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44 号： 4A ページ： 1665-1668 発行年： 2005年04月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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