文献
J-GLOBAL ID:200902262123456838
整理番号:07A0119899
分子ビームエピタクシーにより堆積した成長のままのMgB2薄膜における磁場下での高臨界電流密度
High critical current density under magnetic fields in as-grown MgB2 thin films deposited by molecular-beam epitaxy
著者 (13件):
HARUTA M
(Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN)
,
FUJIYOSHI T
(Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN)
,
KIHARA S
(Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN)
,
SUEYOSHI T
(Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN)
,
MIYAHARA K
(Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN)
,
HARADA Y
(Iwate Ind. Promotion Centre, Iwate, JPN)
,
YOSHIZAWA M
(Iwate Univ., Iwate, JPN)
,
TAKAHASHI T
(Iwate Univ., Iwate, JPN)
,
IRIUDA H
(Iwate Univ., Iwate, JPN)
,
OBA T
(Iwate Univ., Iwate, JPN)
,
AWAJI S
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
WATANABE K
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
MIYAGAWA R
(Kumamoto Industrial Res. Inst., Kumamoto, JPN)
資料名:
Superconductor Science and Technology
(Superconductor Science and Technology)
巻:
20
号:
1
ページ:
L1-L4
発行年:
2007年01月
JST資料番号:
T0607A
ISSN:
0953-2048
CODEN:
SUSTEF
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)