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文献
J-GLOBAL ID：200902262208841080
整理番号：05A0543052
トポ-トモグラフィック手法と結合したシンクロトロン白色X線トポグラフィーにより決定したシリコン中転位の三次元構造
Three-dimensional structure of dislocations in silicon determined by synchrotron white x-ray topography combined with a topo-tomographic technique
KAWADO S
(Rigaku Corp., Tokyo, JPN)
,
TAISHI T
(Shinshu Univ., Nagano, JPN)
,
IIDA S
(Toyama Univ., Toyama, JPN)
,
SUZUKI Y
(Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu-shi, JPN)
,
CHIKAURA Y
(Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu-shi, JPN)
,
KAJIWARA K
(Japan Synchrotron Radiation Res. Inst., Hyogo, JPN)
資料名：
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 38 号： 10A ページ： A17-A22 発行年： 2005年05月21日
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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