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文献
J-GLOBAL ID：200902262464811423
整理番号：04A0477432
n-チャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ用のNbOゲート電極
NbO as gate electrode for n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors
GAO W
(Sharp Labs of America, Washington)
,
CONLEY J F JR
(Sharp Labs of America, Washington)
,
ONO Y
(Sharp Labs of America, Washington)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 84 号： 23 ページ： 4666-4668 発行年： 2004年06月07日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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