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文献
J-GLOBAL ID：200902262524552279
整理番号：05A0991930
昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長
Growth of AlN crystal on various SiC substrates by sublimation method
土屋法隆
(名城大 理工)
,
BALAKRISHNAN K.
(名城大 理工)
,
岩谷素顕
(名城大 理工)
,
上山智
(名城大 理工)
,
天野浩
(名城大 理工)
,
赤崎勇
(名城大 理工)
,
下野健二
(イビデン)
,
野呂匡志
(イビデン)
,
高木俊
(イビデン)
,
古庄智明
(シクスオン)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 105 号： 326(ED2005 139-156) ページ： 29-34 発行年： 2005年10月07日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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