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文献
J-GLOBAL ID：200902262634197385
整理番号：09A0717444
真空紫外光/オゾン処理を用いて作製した低リークp型ダイヤモンドSchottkyダイオード
Low-leakage p-type diamond Schottky diodes prepared using vacuum ultraviolet light/ozone treatment
TERAJI T.
(Sensor Materials Center, National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN)
,
GARINO Y.
(Sensor Materials Center, National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN)
,
KOIDE Y.
(Sensor Materials Center, National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN)
,
ITO T.
(Dep. of Electrical, Electronic and Information Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 ...)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 105 号： 12 ページ： 126109 発行年： 2009年06月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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