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文献
J-GLOBAL ID：200902262666384870
整理番号：05A0099708
パターン化サファイア基板上成長による近紫外InGaN-GaN LEDの出力パワー増強
Enhanced Output Power of Near-Ultraviolet InGaN-GaN LEDs Grown on Patterned Sapphire Substrates
WUU D S
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
,
WANG W K
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
,
SHIH W C
(National Formosa Univ., Huwei, TWN)
,
HORNG R H
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
,
LEE C E
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
,
LIN W Y
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
,
FANG J S
(National Formosa Univ., Huwei, TWN)
資料名：
IEEE Photonics Technology Letters
(IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 17 号： 2 ページ： 288-290 発行年： 2005年02月
JST資料番号： T0721A ISSN： 1041-1135 CODEN： IPTLEL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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