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文献
J-GLOBAL ID：200902262785375110
整理番号：04A0369865
130°C以下の温度でフレキシブルプラスチック基板上に作製した高移動度ポリ-Ge薄膜トランジスタ
High Mobility Poly-Ge Thin-Film Transistors Fabricated on Flexible Plastic Substrates at Temperatures below 130°C
SHAHRJERDI D
(Univ. Tehran, Tehran, IRN)
,
HEKMATSHOAR B
(Univ. Tehran, Tehran, IRN)
,
MOHAJERZADEH S S
(Univ. Tehran, Tehran, IRN)
,
KHAKIFIROOZ A
(Massachusetts Inst. Technol., MA)
,
ROBERTSON M
(Acadia Univ., Nova Scotia, CAN)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 33 号： 4 ページ： 353-357 発行年： 2004年04月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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