文献
J-GLOBAL ID:200902262922371276
整理番号:08A1198229
ナノスケールNANDフラッシュメモリのプログラミング中の電子注入統計用の解析モデル
Analytical Model for the Electron-Injection Statistics During Programming of Nanoscale NAND Flash Memories
著者 (7件):
MONZIO COMPAGNONI Christian
(Politecnico di Milano, Milano, ITA)
,
MONZIO COMPAGNONI Christian
(Italian Univ. Nano-Electronics Team(IU.NET), Bologna, ITA)
,
GUSMEROLI Riccardo
(Politecnico di Milano, Milano, ITA)
,
GUSMEROLI Riccardo
(Italian Univ. Nano-Electronics Team(IU.NET), Bologna, ITA)
,
SPINELLI Alessandro S.
(Politecnico di Milano, Milano, ITA)
,
SPINELLI Alessandro S.
(Istituto di Fotonica e Nanotecnologie, Consiglio Nazionale delle Ricerche, Milano, ITA)
,
VISCONTI Angelo
(Central Res. and Dev., Brianza, ITA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
55
号:
11
ページ:
3192-3199
発行年:
2008年11月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)