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文献
J-GLOBAL ID：200902263268496370
整理番号：04A0796884
低温プラズマ促進化学蒸着によるポリエーテルスルホン基板上のSiO2状障壁層の性質
Properties of SiO2-like barrier layers on polyethersulfone substrates by low-temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition
WUU D S
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
,
LO W C
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
,
CHANG L S
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
,
HORNG R H
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 468 号： 1/2 ページ： 105-108 発行年： 2004年12月01日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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