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文献
J-GLOBAL ID：200902263636238220
整理番号：06A0036738
RF/アナログ応用に適した,低リーク・高耐圧の歪Si-MOSFET技術
Strained-Silicon MOSFETs of Low Leakage Current and High Breakdown Voltage for RF/Analog Applications
杉井信之
(日立)
,
宮本正文
(日立)
,
羽鳥誠
(ルネサステクノロジ)
,
木村嘉伸
(日立)
,
近藤泰一
(ルネサステクノロジ)
,
近藤将夫
(ルネサステクノロジ)
,
星野裕
(ルネサステクノロジ)
,
平沢亘
(ルネサス東日本セミコンダクタ)
,
木村紳一郎
(ルネサス東日本セミコンダクタ)
,
吉田功
(ルネサス東日本セミコンダクタ)
資料名：
半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集
(Proceedings of the Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology)
巻： 69th ページ： 71-74 発行年： 2005年12月10日
JST資料番号： F0108B 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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