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文献
J-GLOBAL ID：200902263809685546
整理番号：03A0708810
SiドープAlGaNキャリア注入層を備えたGaN系ヘテロ構造電界効果トランジスタのフリッカ雑音
Flicker Noise of GaN-Based Heterostructure Field-Effect Transistors With Si-Doped AlGaN Carrier Injection Layer
SU Y-K
(National Cheng Kung Univ., Tainan City, TWN)
,
WEI S-C
(National Cheng Kung Univ., Tainan City, TWN)
,
WANG R-L
(National Kaohsiung Inst. Marine Technol., Kaohsiung, TWN)
,
CHANG S-J
(National Cheng Kung Univ., Tainan City, TWN)
,
KO C-H
(National Cheng Kung Univ., Tainan City, TWN)
,
KUAN T-M
(National Cheng Kung Univ., Tainan City, TWN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 24 号： 10 ページ： 622-624 発行年： 2003年10月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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