文献
J-GLOBAL ID:200902263829946192
整理番号:03A0853466
窒化物半導体への局在バンド導入によるアクセプタ活性化の新手法
Novel Method for the Activation of Acceptor Dopant Introducing Localized Band by Isoelectronic Dopant
著者 (1件):
瀧沢俊幸
(松下電器産業 半導体デバイス研セ)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
103
号:
343(CPM2003 102-116)
ページ:
39-42
発行年:
2003年10月02日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)