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文献
J-GLOBAL ID：200902263900014948
整理番号：05A0801425
63nm・STI・CMOSプロセス技術による8Gb,多値NANDフラッシュメモリ
An 8Gb Multi-Level NAND Flash Memory with 63nm STI CMOS Process Technology
BYEON Dae-Seok
(Samsung, Hwasung, KOR)
,
LEE Sung-Soo
(Samsung, Hwasung, KOR)
,
LIM Young-Ho
(Samsung, Hwasung, KOR)
,
PARK Jin-Sung
(Samsung, Hwasung, KOR)
,
HAN Wook-Kee
(Samsung, Hwasung, KOR)
,
KWAK Pan-Suk
(Samsung, Hwasung, KOR)
,
KIM Dong-Hwan
(Samsung, Hwasung, KOR)
,
CHAE Dong-Hyuk
(Samsung, Hwasung, KOR)
,
MOON Seung-Hyun
(Samsung, Hwasung, KOR)
,
LEE Seung-Jae
(Samsung, Hwasung, KOR)
,
CHO Hyun-Chul
(Samsung, Hwasung, KOR)
,
LEE Jung-Woo
(Samsung, Hwasung, KOR)
,
KIM Moo-Sung
(Samsung, Hwasung, KOR)
,
YANG Joon-Sung
(Samsung, Hwasung, KOR)
,
PARK Young-Woo
(Samsung, Hwasung, KOR)
,
BAE Duk-Won
(Samsung, Hwasung, KOR)
,
CHOI Jung-Dal
(Samsung, Hwasung, KOR)
,
HUR Sung-Hoi
(Samsung, Hwasung, KOR)
,
SUH Kang-Deog
(Samsung, Hwasung, KOR)
資料名：
Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference
(Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 48 ページ： 46-47 発行年： 2005年02月
JST資料番号： D0753A ISSN： 0193-6530 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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