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文献
J-GLOBAL ID：200902264076360781
整理番号：05A0650683
p型δドープ障壁を有するHEMTのDC特性の数値研究
A numerical study of dc characteristics of HEMT with p-type δ-doped barrier
CHANG Y.
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
KUO Y.-K.
(National Changhua Univ. Education, Changhua, TWN)
資料名：
Applied Physics. A. Materials Science & Processing
(Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： A81 号： 4 ページ： 877-879 発行年： 2005年09月
JST資料番号： D0256C ISSN： 0947-8396 CODEN： APHYCC 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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