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文献
J-GLOBAL ID：200902264929103199
整理番号：06A0057496
InGaNによるバック障壁を設けたAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ
AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors With InGaN Back-Barriers
PALACIOS T.
(Univ. California, CA, USA)
,
CHAKRABORTY A.
(Univ. California, CA, USA)
,
HEIKMAN S.
(Univ. California, CA, USA)
,
KELLER S.
(Univ. California, CA, USA)
,
DENBAARS S. P.
(Univ. California, CA, USA)
,
MISHRA U. K.
(Univ. California, CA, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 27 号： 1 ページ： 13-15 発行年： 2006年01月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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