文献
J-GLOBAL ID:200902265012976297
整理番号:08A0277087
吸収と増倍の独立した背面照明型GaNアバランシェフォトダイオード
Back-illuminated separate absorption and multiplication GaN avalanche photodiodes
著者 (5件):
PAU J. L.
(Center for Quantum Devices, Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Northwestern Univ., Evanston, Illinois ...)
,
BAYRAM C.
(Center for Quantum Devices, Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Northwestern Univ., Evanston, Illinois ...)
,
MCCLINTOCK R.
(Center for Quantum Devices, Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Northwestern Univ., Evanston, Illinois ...)
,
RAZEGHI M.
(Center for Quantum Devices, Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Northwestern Univ., Evanston, Illinois ...)
,
SILVERSMITH D.
(Air Force Office of Scientific Res., Arlington, Virginia 22203, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
92
号:
10
ページ:
101120
発行年:
2008年03月10日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)