文献
J-GLOBAL ID:200902265177762607
整理番号:08A0914252
原子層蒸着Al2O3によるシリコンの表面不動態化
Silicon surface passivation by atomic layer deposited Al2O3
著者 (5件):
HOEX B.
(Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD)
,
SCHMIDT J.
(Inst. fuer Solarenergieforschung Hameln/Emmerthal (ISFH), Am Ohrberg 1, D-31860 Emmerthal, DEU)
,
POHL P.
(Inst. fuer Solarenergieforschung Hameln/Emmerthal (ISFH), Am Ohrberg 1, D-31860 Emmerthal, DEU)
,
VAN DE SANDEN M. C. M.
(Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD)
,
KESSELS W. M. M.
(Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
104
号:
4
ページ:
044903
発行年:
2008年08月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)