文献
J-GLOBAL ID:200902265277628924
整理番号:05A0810547
II-VI/III-Vヘテロ構造のGa1-xMnxAs/ZnSe/Ga1-xMnxAs磁気トンネル接合におけるトンネル異方性磁気抵抗の起源
Origin of the Tunnel Anisotropic Magnetoresistance in Ga1-xMnxAs/ZnSe/Ga1-xMnxAs Magnetic Tunnel Junctions of II-VI/III-V Heterostructures
著者 (3件):
SAITO H.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
YUASA S.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
ANDO K.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名:
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻:
95
号:
8
ページ:
086604.1-086604.4
発行年:
2005年08月19日
JST資料番号:
H0070A
ISSN:
0031-9007
CODEN:
PRLTAO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)