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J-GLOBAL ID：200902265487335156 整理番号：04A0614355

低電力動作におけるMOSFETのLF帯雑音

LF-band noise in MOSFET is low power operation

著者 (4件)：

HASHIGUCHI S

(Univ. Yamanashi, Kofu, JPN)

KAWAI S

(Univ. Yamanashi, Kofu, JPN)

OHKI M

(Univ. Yamanashi, Kofu, JPN)

SOMEYA K

(Casio Computer Co., Ltd., Hamura, JPN)

資料名：

Proceedings of SPIE (Proceedings of SPIE)

巻： 5470 ページ： 538-545 発行年： 2004年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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