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文献
J-GLOBAL ID：200902265523307024
整理番号：07A0280724
c及びm面窒化ガリウム上での金属-酸化物-半導体キャパシタの比較
Comparison of metal-oxide-semiconductor capacitors on c- and m-plane gallium nitride
MATOCHA Kevin
(GE Global Res. Center, Niskayuna, New York 12309)
,
TILAK Vinayak
(GE Global Res. Center, Niskayuna, New York 12309)
,
DUNNE Greg
(GE Global Res. Center, Niskayuna, New York 12309)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 90 号： 12 ページ： 123511-123511-2 発行年： 2007年03月19日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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