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文献
J-GLOBAL ID：200902265708957610
整理番号：04A0365105
電子ビーム励起プラズマによるシリコン酸化物エッチングプロセス
Silicon-oxide etching process employing an electron-beam-excited plasma
ITO M
(Wakayama Univ., Wakayama, JPN)
,
TAKEDA K
(Wakayama Univ., Wakayama, JPN)
,
SHIINA T
(Wakayama Univ., Wakayama, JPN)
,
OKAMURA Y
(Wakayama Univ., Wakayama, JPN)
,
NAGAI H
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
HORI M
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
GOTO T
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 22 号： 2 ページ： 543-547 発行年： 2004年03月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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